| German |
| has gloss | deu: Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (engl. plasma enhanced chemical vapour deposition, PECVD; auch engl. plasma assisted chemical vapour deposition, PACVD, genannt) ist eine Sonderform der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), bei der die chemische Abscheidung durch ein Plasma unterstützt wird. Das Plasma kann direkt beim zu beschichtenden Substrat (Direktplasma-Methode) oder in einer getrennten Kammer (Remote-Plasma-Methode) brennen. |
| lexicalization | deu: Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung |
| French |
| has gloss | fra: Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour plasma-enhanced chemical vapor deposition) est un procédé utilisé pour déposer des couches minces sur un substrat à partir dun état gazeux (vapeur). Des réactions chimiques se déroulent au cours du processus après la formation dun plasma à partir des gaz du réacteur. Le plasma est généralement créé à partir de ce gaz par radio-fréquences ou par une décharge électrique entre deux électrodes. |
| lexicalization | fra: Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma |
| Japanese |
| has gloss | jpn: プラズマCVD（plasma CVD, plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD）は、プラズマを援用する型式の化学気相成長(CVD)の一種である 。さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつである。化学反応を活性化させるため、高周波などを印加することで原料ガスをプラズマ化させるのが特徴である。半導体素子の製造などに広く用いられる。 |
| lexicalization | jpn: プラズマCVD |
| Dutch |
| has gloss | nld: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of kortweg PECVD is de aanduiding van het proces, waarmee met behulp van een plasma een dunne laag op een substraat of basismateriaal wordt aangebracht bij relatief lagere temperatuur. |
| lexicalization | nld: PECVD |
