| Italian |
| has gloss | ita: La RRAM (nota anche come ReRAM), acronimo di Resistive Random Access Memory, è una tipologia di memoria permanente attualmente in fase di sviluppo, in cui l'informazione memorizzata è associata alla resistenza di un sottile film di materiale commutabile elettricamente. |
| lexicalization | ita: Rram |
| Japanese |
| has gloss | jpn: ReRAM(Resistance Random Access Memory)は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリ。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの商標である。 |
| lexicalization | jpn: ReRAM |
| Korean |
| has gloss | kor: 저항 메모리는 차세대 비휘발성 메모리의 한 종류이다. |
| lexicalization | kor: RRAM |
| Dutch |
| has gloss | nld: RRAM, een afkorting van Resistive Random Access Memory is een nieuw niet-vluchtig geheugen dat op dit moment wordt ontwikkeld door Sharp. Op dit moment is er nog niet veel bekend over de technologie die hiervoor gebruikt wordt, maar volgens Sharp zal het tot maximaal 100 keer sneller zijn dat het huidige Flash geheugen |
| lexicalization | nld: RRAM |
| Swedish |
| has gloss | swe: RRAM (förkortning för Resistive Random-Access Memory) är en ny typ av icke-flyktigt minne som utvecklas av många olika företag. Teknologin har vissa likheter med CBRAM. |
| lexicalization | swe: RRAM |
